説明

Silicon carbide (SiC) is a compound semiconductor composed of silicon and carbide. Silicon carbide exhibits the level of hardness that is approximately equivalent to a diamond, which enables SiC semiconductors to operate in harsh conditions. さらに, the characteristics of silicon carbide that provide an edge over the traditional silicon semiconductor in the power semiconductors market are its higher breakdown electric field strength, wider band gap, lower thermal expansion, and resistance to chemical reaction. The global silicon carbide power semiconductor market in terms of revenue is set to grow by US$ 1 10億 2021-2027, 年間複合成長率で成長する (CAGR) の 18.3% 予測期間中, データ分析会社StrategyHelixによると. Increase in the demand for consumer electronics and wireless communications, growing demand for energy-efficient battery-powered portable devices, growth in demand of electric vehicles, plug-in electric vehicles, and hybrid electric vehicles are expected to boost the market growth in the coming years.

レポートは、期間の最新の市場規模データを提供します。 2017-2020 そして次のように予測します 2027 covering key market aspects like sales value for silicon carbide power semiconductor. The global silicon carbide power semiconductor market is segmented on the basis of type, 応用, 地域. 種類別, it is categorized into discrete product, and power product. The discrete product segment held the largest market share in 2020. 用途別, the silicon carbide power semiconductor market is divided into automotive, それ & 電気通信, 家電, 航空宇宙 & 防衛, 工業用, エネルギー & 力, その他. 地域に基づいて, the silicon carbide power semiconductor market is divided into North America, アジア太平洋地域, ヨーロッパ, および世界のその他の地域 (行).

The report has profiled some of the key players of the market such as Broadcom Inc., Cree Inc., 富士電機株式会社. 株式会社, Hitachi Power Semiconductor Device Ltd., インフィニオン テクノロジーズ AG, 三菱電機株式会社, NXP セミコンダクターズ N.V., ON Semiconductor Corporation, ルネサス エレクトロニクス株式会社, SEMIKRON International GmbH, STマイクロエレクトロニクスNV, テキサス・インスツルメンツ社, 株式会社東芝, United Silicon Carbide Inc..

このレポートは、この業界で活動する企業や組織にとって非常に貴重なリソースです。. It provides a cohesive picture of the silicon carbide power semiconductor market to help drive informed decision making for industry executives, 政策立案者, アカデミック, とアナリスト.

レポートの範囲

タイプ: discrete product, and power product
応用: 自動車, それ & 電気通信, 家電, 航空宇宙 & 防衛, 工業用, エネルギー & 力, その他
領域: 北米, アジア太平洋地域, ヨーロッパ, および世界のその他の地域 (行)
考慮された年数: このレポートはその期間をカバーしています 2017 に 2027

関係者にとっての主なメリット

Get a comprehensive picture of the global silicon carbide power semiconductor market
成長セクターと投資トレンドを正確に特定する
Understand what the future of the global silicon carbide power semiconductor market looks like
競争環境と機会の窓を特定する

目次

1. 市場の定義
2. 研究方法
3. 市場データ & 見通し
3.1 市場価格
3.2 市場価値の予測
4. Silicon Carbide Power Semiconductor Market by Type
4.1 Discrete Product
4.2 Power Product
5. Silicon Carbide Power Semiconductor Market by Application
5.1 自動車
5.2 それ & 電気通信
5.3 家電
5.4 航空宇宙 & 防衛
5.5 産業用
5.6 エネルギー & 力
5.7 その他
6. Silicon Carbide Power Semiconductor Market by Region
6.1 北米
6.2 アジア太平洋地域
6.3 ヨーロッパ
6.4 世界のその他の地域 (行)
7. 会社概要
7.1 ブロードコム株式会社.
7.2 Cree Inc.
7.3 富士電機株式会社, 株式会社.
7.4 Hitachi Power Semiconductor Device, 株式会社.
7.5 インフィニオン テクノロジーズ AG
7.6 三菱電機株式会社
7.7 NXP セミコンダクターズ N.V.
7.8 ON Semiconductor Corporation
7.9 ルネサス エレクトロニクス株式会社
7.10 SEMIKRON International GmbH
7.11 STMicroelectronics N.V.
7.12 テキサス・インスツルメンツ社
7.13 株式会社東芝
7.14 United Silicon Carbide, 株式会社.
8. 付録
8.1 StrategyHelix について
8.2 免責事項