Descrizione

Magnetoresistive random access memory (MRAM) is a method of storing data bits using magnetic states instead of the electrical charges used by devices such as dynamic random access memory (DRAM). By combining the high speed of static random access memory (SRAM) and the high density of DRAM, MRAM promises to significantly improve electronic products by storing greater amounts of data, enabling faster data access and consuming less energy than existing electronic memory. Secondo un rapporto di StrategyHelix, the global mram market is set to increase by US$ 1,350.2 milioni durante 2022-2028, crescendo a un CAGR di 28.1% durante il periodo di previsione.

Il rapporto fornisce dati aggiornati sulle dimensioni del mercato per il periodo 2018-2021 e previsione a 2028 covering key market aspects like sales value for mram. The global mram market is segmented on the basis of product, applicazione, e regione. In base al prodotto, the global mram market has been segmented into toggle MRAM, STT-MRAM. The STT-MRAM segment held the largest revenue share in 2021. Per applicazione, the global mram market has been segmented into aerospace & defense, automotive, consumer electronics, enterprise storage, robotics, altri. Geograficamente, the global mram market is segmented into North America, Asia Pacifico, Europa, Resto del mondo (RIGA).

The global mram market is highly competitive. The leading players in the mram market include Avalanche Technology Inc., Everspin Technologies Inc., Honeywell International Inc., Numem Inc., NVE Corporation, Samsung Electronics Co. Ltd., Spin Memory Inc., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC), Toshiba Corporation.

Il rapporto è una risorsa inestimabile per le aziende e le organizzazioni attive in questo settore. It provides a cohesive picture of the mram market to help drive informed decision making for industry executives, decisori politici, accademico, e analisti.

Ambito del rapporto

Prodotto: toggle MRAM, STT-MRAM
Applicazione: aerospace & defense, automotive, consumer electronics, enterprise storage, robotics, altri
Regione: Nord America, Asia Pacifico, Europa, Resto del mondo (RIGA)
Anni considerati: la presente relazione copre il periodo 2018 A 2028

Principali vantaggi per gli stakeholder

– Get a comprehensive picture of the global mram market
– Individuare i settori in crescita e le tendenze per gli investimenti

Sommario

Parte 1. introduzione
– Ambito dello studio
– Periodo di studio
– Ambito geografico
– Metodologia di ricerca
Parte 2. Mram market overview
Parte 3. Ripartizione del mercato per prodotto
– Toggle MRAM
– STT-MRAM
Parte 4. Ripartizione del mercato per applicazione
– Aerospaziale & defense
– Settore automobilistico
– Consumer electronics
– Enterprise storage
– Robotics
– Altri
Parte 5. Ripartizione del mercato per regione
– Nord America
– Asia Pacifico
– Europa
– Resto del mondo (RIGA)
Parte 6. Aziende chiave
– Avalanche Technology, Inc.
– Everspin Technologies, Inc.
– Honeywell International Inc.
– Numem Inc.
– NVE Corporation
– Samsung Electronics Co., Ltd.
– Spin Memory, Inc.
– Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC)
– Toshiba Corporation
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