شرح

Silicon carbide (SiC) is a compound semiconductor composed of silicon and carbide. Silicon carbide exhibits the level of hardness that is approximately equivalent to a diamond, which enables SiC semiconductors to operate in harsh conditions. علاوه بر این, the characteristics of silicon carbide that provide an edge over the traditional silicon semiconductor in the power semiconductors market are its higher breakdown electric field strength, wider band gap, lower thermal expansion, and resistance to chemical reaction. The global silicon carbide power semiconductor market in terms of revenue is set to grow by US$ 1 میلیارد در طول 2021-2027, رشد با نرخ رشد مرکب سالانه (CAGR) از 18.3% در طول دوره پیش بینی, بر اساس داده ها و شرکت تحلیلی StrategyHelix. Increase in the demand for consumer electronics and wireless communications, growing demand for energy-efficient battery-powered portable devices, growth in demand of electric vehicles, plug-in electric vehicles, and hybrid electric vehicles are expected to boost the market growth in the coming years.

این گزارش داده های به روز اندازه بازار را برای دوره ارائه می دهد 2017-2020 و پیش بینی به 2027 covering key market aspects like sales value for silicon carbide power semiconductor. The global silicon carbide power semiconductor market is segmented on the basis of type, کاربرد, منطقه. بر اساس نوع, it is categorized into discrete product, and power product. The discrete product segment held the largest market share in 2020. By application, the silicon carbide power semiconductor market is divided into automotive, IT & مخابرات, لوازم الکترونیکی مصرفی, aerospace & defense, صنعتی, energy & power, و دیگران. بر اساس منطقه, the silicon carbide power semiconductor market is divided into North America, آسیا و اقیانوسیه, اروپا, و بقیه جهان (ROW).

The report has profiled some of the key players of the market such as Broadcom Inc., Cree Inc., Fuji Electric Co. Ltd., Hitachi Power Semiconductor Device Ltd., Infineon Technologies AG, شرکت میتسوبیشی الکتریک, NXP Semiconductors N.V., ON Semiconductor Corporation, Renesas Electronics Corporation, SEMIKRON International GmbH, STMicroelectronics N.V., Texas Instruments Incorporated, شرکت توشیبا, United Silicon Carbide Inc..

این گزارش منبع ارزشمندی برای شرکت ها و سازمان های فعال در این صنعت است. It provides a cohesive picture of the silicon carbide power semiconductor market to help drive informed decision making for industry executives, سیاست گذاران, علمی, و تحلیلگران.

دامنه گزارش

تایپ کنید: discrete product, and power product
کاربرد: خودرو, IT & مخابرات, لوازم الکترونیکی مصرفی, aerospace & defense, صنعتی, energy & power, و دیگران
منطقه: آمریکای شمالی, آسیا و اقیانوسیه, اروپا, و بقیه جهان (ROW)
سال های در نظر گرفته شده: این گزارش دوره را پوشش می دهد 2017 به 2027

مزایای کلیدی برای ذینفعان

Get a comprehensive picture of the global silicon carbide power semiconductor market
بخش های رشد و روند سرمایه گذاری را مشخص کنید
Understand what the future of the global silicon carbide power semiconductor market looks like
چشم انداز رقابتی و پنجره فرصت را شناسایی کنید

فهرست مطالب

1. تعریف بازار
2. روش تحقیق
3. داده های بازار & چشم انداز
3.1 ارزش بازار
3.2 پیش بینی ارزش بازار
4. Silicon Carbide Power Semiconductor Market by Type
4.1 Discrete Product
4.2 Power Product
5. Silicon Carbide Power Semiconductor Market by Application
5.1 خودرو
5.2 It & مخابرات
5.3 لوازم الکترونیکی مصرفی
5.4 هوافضا & Defense
5.5 صنعتی
5.6 انرژی & قدرت
5.7 دیگران
6. Silicon Carbide Power Semiconductor Market by Region
6.1 آمریکای شمالی
6.2 آسیا و اقیانوسیه
6.3 اروپا
6.4 بقیه دنیا (ردیف)
7. مشخصات شرکت
7.1 Broadcom Inc.
7.2 Cree Inc.
7.3 Fuji Electric Co., Ltd.
7.4 Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd.
7.5 Infineon Technologies AG
7.6 شرکت میتسوبیشی الکتریک
7.7 NXP Semiconductors N.V.
7.8 ON Semiconductor Corporation
7.9 Renesas Electronics Corporation
7.10 SEMIKRON International GmbH
7.11 STMicroelectronics N.V.
7.12 Texas Instruments Incorporated
7.13 شرکت توشیبا
7.14 United Silicon Carbide, شرکت.
8. ضمیمه
8.1 درباره StrategyHelix
8.2 سلب مسئولیت